
AC/DC 电源
AI 电源(PSU)的功率等级正从 5.5 kW 向 18.6 kW 演进。AI 电源设计,需要在尽可能小的封装尺寸内,选用具备更高功率密度、更高效率以及更优异散热性能的功率器件。
威世提供采用 PowerPAK® 10×12(TOLL)封装的第五代 E / EF 系列 600 V MOSFET;还提供 PowerPAK® SO‑8 封装的 TrenchFET® 第五代 80 V、100 V MOSFET。产品具备业界先进的导通电阻 RDS (On)。
设计挑战
CBU的设计必须应对严苛的瞬态工况:
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高充放电电流
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对瞬态事件的快速响应
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反复充放电循环产生的热应力
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在基础设施环境中具备长使用寿命
为何选择Vishay的
Vishay通过专为高功率运行、快速响应和长期稳定性而设计的高可靠性电容器、电阻器和传感元件,助力CBU设计。
我们的解决方案支持:
- 可靠的瞬态能量传输
- 可控的热行为
- 基础设施级的使用寿命性能
逃往夏威夷
大卖——大梦想
只要您符合参赛资格,请向下滚动页面提交参赛作品并领取您的花环!
参赛资格:本次 竞赛面向所有负责服务美洲市场客户的安富利(Avnet)内部销售代表。
- 观看 视频,了解Vishay对Avnet的承诺。
- 深入了解 Vishay 的产品组合及发展情况,然后在测验中取得 100% 的满分。
- 销售Vishay 技术产品,其中须包含至少两种不同的Vishay产品,且发货日期定于2025年6月27日之前,总价值如下表所示。

如何赢取奖品
一旦您的参赛资格通过审核,您将从所属分支机构收到一条花环。打开密封袋查看花环是蓝色还是绿色。若您收到蓝色花环,请将您佩戴花环并展露最灿烂笑容的照片发送给摩根士丹利和马克·德尔·加托,即可参与头奖抽奖。 符合资格的蓝色花环获奖者将进入抽奖环节,从中将选出一名幸运儿,获邀与Vishay一同参加在考艾岛举行的“总裁俱乐部31”活动。
最有价值球员奖
只要您符合参赛资格,请向下滚动页面提交参赛作品。
参赛资格:本次 竞赛面向所有在美洲市场使用Vishay技术为客户提供支持的安富利员工。
参赛方式
- 观看视频 ,了解 Vishay 对 Avnet 的承诺。
- 深入了解 Vishay 的产品组合和业务发展,然后在测验中取得 100% 的满分。
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分享一个成功案例,突出您如何借助 Vishay 取得成功。 您的案例可以包括:您是如何熟悉 Vishay 的产品组合以支持设计采用机会的;您是如何利用 Vishay 零件库等工具来帮助客户编制物料清单 (BoM) 的;或者您是如何利用 Vishay 具有竞争力的新价格在关键市场领域赢得订单的。
如何获胜
一旦您的参赛作品通过审核,我们将对各 MVP 故事进行比较和评审,以评选出“最具价值合作伙伴”故事。 获奖者将展示一个典型案例,说明其如何践行以客户为中心、业务增长和战略扩张为核心的 Vishay 3.0 框架。该类别将选出一名获奖者,受邀参加 Vishay 将于 2025 年 7 月在考艾岛举办的“总裁俱乐部 31”活动,具体安排将于 2025 年 7 月公布。
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大卖——大梦想
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参赛资格:本次 竞赛面向所有负责服务美洲市场客户的安富利(Avnet)内部销售代表。
- 观看 视频,了解Vishay对Avnet的承诺。
- 深入了解 Vishay 的产品组合及发展情况,然后通过测验。
- 销售Vishay 技术产品,其中需包含至少两种不同的Vishay产品,且发货日期安排在2025年6月27日之前,总价值如下表所示。
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如何赢取奖品
一旦您的参赛资格通过审核,您将从所属分支机构收到一条花环。打开密封袋查看花环是蓝色还是绿色。若您收到蓝色花环,请将您佩戴花环并展露最灿烂笑容的照片发送给摩根士丹利和马克·德尔·加托(Mark Del Gatto),即可参与大奖抽奖。 符合资格的蓝色花环获奖者将进入抽奖环节,从中将选出一名幸运儿,获邀与Vishay一同参加在考艾岛举行的“总裁俱乐部31”活动。
最有价值球员奖
只要您符合参赛资格,请向下滚动页面提交参赛作品,即可领取您的花环!
参赛资格:本次 竞赛面向所有在美洲市场使用Vishay技术为客户提供支持的安富利员工。
如何参与
- 观看 展示 Vishay 对 Avnet 承诺的视频。
- 深入了解 Vishay 的产品组合和业务发展,然后通过测验。
- 分享您的 成功案例,详细描述您如何帮助安富利客户使用 Vishay 产品进行设计、了解 Vishay 产品或技术,或者如何利用 Vishay 零件库等资源解答问题。
如何获胜
您的参赛作品经核实后,我们将对各MVP故事进行比对和评审,以评选出“最具价值合作伙伴关系”故事。 获奖者将展示其如何践行以客户为中心、业务增长和战略扩张为核心的 Vishay 3.0 框架。该类别将选出一名获奖者,受邀参加 Vishay 于考艾岛举办的“总裁俱乐部 31”活动,具体安排将于 2025 年 7 月公布。
精选产品
高压 MOSFET
• 第五代 E / EF 系列工艺技术
• 低优值 (FOM) Ron x Qg
• 针对宽温域超高速硬开关工况专项优化
• 设计确保最小爬电距离达 3.2 mm
• 兼容 PowerPAK® 10x12 (TOLL) 封装
600 V-SIHK039N60AEF (44.8 mΩ) - 即将推出
600 V-SIHK075N60AEF (75 mΩ) - 即将推出
低压 MOSFET
・第五代功率 MOSFET(TrenchFET® Gen V)
・RDS x Qg FOM 达业界先进水平
・符合 IPC-9701 规范标准,提升热循环可靠性
・6 mm × 5 mm 占位面积,兼容 PowerPAK® SO-8 封装
・同时提供 PowerPAK® SO-8S(QFN 6x5)版本
・RthJC 低至 0.3 ℃/W,兼具充足且稳定的安全工作区(SOA)性能
标准整流二极管
碳化硅 (SiC) 二极管
・宽温域下适配超高速硬开关工况
・出厂设计确保爬电距离最小可达 3.2 mm
VS-4C04ES07-M3/I - 即将推出
VS-4C02EJ07-M3/H - 即将推出
低正向压降整流桥
标准整流二极管
Power Metal Strip® 分流电阻
・超大功率规格(5931 封装最高支持 15 W),阻值最低至 0.0001 Ω
・极低电感值,< 1.5 nH
・低热电动势(< 3 μV/°C)
・2726 与 1216 封装支持四端接线
WSLP2512 (2 W)
WSLP3921 (9 W);WSLP5931 (15 W)
WSK1216 (8 W)
WSLP2726 (12 W)








