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AI Server-Hero
为新一代 AI 供电架构提供动力

HVDC

为向服务器机架输送兆瓦级功率,AI 数据中心正从传统 48 V 架构转向 800V 高压 DC/DC 架构。提升电压可降低电流,从而使用更细线缆、实现更紧凑的设备设计。同时还能提升功率密度与转换效率,这两点对 AI 数据中心至关重要。

威世提供第四代碳化硅肖特基二极管,具备开关速度快、开关损耗低的特性,提供 TO247 与 SlimSMA HV 两种封装;同时我们还提供超小型 MKP 薄膜电容器,用于直流母线滤波。

 

设计挑战

CBU的设计必须应对严苛的瞬态工况:

  • 高充放电电流

  • 对瞬态事件的快速响应

  • 反复充放电循环产生的热应力

  • 在基础设施环境中具备长使用寿命

为何选择Vishay的
Vishay通过专为高功率运行、快速响应和长期稳定性而设计的高可靠性电容器、电阻器和传感元件,助力CBU设计。

我们的解决方案支持:

  • 可靠的瞬态能量传输
  • 可控的热行为
  • 基础设施级的使用寿命性能

逃往夏威夷

大卖——大梦想

只要您符合参赛资格,请向下滚动页面提交参赛作品并领取您的花环!

参赛资格:本次 竞赛面向所有负责服务美洲市场客户的安富利(Avnet)内部销售代表。

  • 观看 视频,了解Vishay对Avnet的承诺。
  • 深入了解 Vishay 的产品组合及发展情况,然后在测验中取得 100% 的满分。
  • 销售Vishay 技术产品,其中须包含至少两种不同的Vishay产品,且发货日期安排在2025年6月27日之前,总价值如下表所示。

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如何赢取奖品

一旦您的参赛资格通过审核,您将从所属分支机构收到一条花环。打开密封袋查看花环是蓝色还是绿色。若您收到蓝色花环,请将您佩戴花环并展露最灿烂笑容的照片发送给摩根士丹利和马克·德尔·加托(Mark Del Gatto),即可参与头奖抽奖。 符合资格的蓝色花环获奖者将进入抽奖环节,从中将选出一名幸运儿,获邀与Vishay一同参加在考艾岛举行的“总裁俱乐部31”活动。

最有价值球员奖

只要您符合参赛资格,请向下滚动页面提交参赛作品。

参赛资格:本次 竞赛面向所有在美洲市场使用Vishay技术为客户提供支持的安富利员工。

参赛方式

  • 观看视频 ,了解 Vishay 对 Avnet 的承诺。
  • 深入了解 Vishay 的产品组合和业务发展,然后在测验中取得 100% 的满分。
  • 分享一个成功案例,突出您如何借助 Vishay 取得成功。 您的案例可以包括:您是如何熟悉 Vishay 的产品组合以支持设计采用机会的;您是如何利用 Vishay 零件库等工具来帮助客户编制物料清单 (BoM) 的;或者您是如何利用 Vishay 具有竞争力的新价格在关键市场领域赢得订单的。

如何获胜

一旦您的参赛作品通过审核,我们将对各 MVP 故事进行比较和评审,以评选出“最具价值合作伙伴”故事。 获奖者将展示一个典型案例,说明其如何践行以客户为中心、业务增长和战略扩张为核心的 Vishay 3.0 框架。该类别将选出一名获奖者,受邀参加 Vishay 将于 2025 年 7 月在考艾岛举办的“总裁俱乐部 31”活动,具体安排将于 2025 年 7 月公布。

逃往夏威夷

大卖——大梦想

只要您符合参赛资格,请向下滚动页面提交参赛作品并领取您的花环!

参赛资格:本次 竞赛面向所有负责服务美洲市场客户的安富利(Avnet)内部销售代表。

  • 观看 视频,了解Vishay对Avnet的承诺。
  • 深入了解 Vishay 的产品组合及发展情况,然后通过测验。
  • 销售Vishay 技术产品,其中需包含至少两种不同的Vishay产品,且发货日期安排在2025年6月27日之前,总价值如下表所示。

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如何赢取奖品

一旦您的参赛资格通过审核,您将从所属分支机构收到一条花环。打开密封袋查看花环是蓝色还是绿色。若您收到蓝色花环,请将您佩戴花环并露出最灿烂笑容的照片发送给摩根士丹利和马克·德尔·加托(Mark Del Gatto),即可参与大奖抽奖。 符合资格的蓝色花环获奖者将进入抽奖环节,从中将选出一名幸运儿,获邀与Vishay一同参加在考艾岛举行的“总裁俱乐部31”活动。

最有价值球员奖

只要您符合参赛资格,请向下滚动页面提交参赛作品,即可领取您的花环!

参赛资格:本次 竞赛面向所有在美洲市场使用Vishay技术为客户提供支持的安富利员工。

如何参与

  • 观看 展示 Vishay 对 Avnet 承诺的视频。
  • 深入了解 Vishay 的产品组合和业务发展,然后通过测验。
  • 分享您的 成功案例,详细描述您如何帮助安富利客户使用 Vishay 产品进行设计、了解 Vishay 产品或技术,或者如何利用 Vishay 零件库等资源解答问题。

如何获胜

您的参赛作品经核实后,我们将对各MVP故事进行比对和评审,以评选出“最具价值合作伙伴关系”故事。 获奖者将展示其如何践行以客户为中心、业务增长和战略扩张为核心的 Vishay 3.0 框架。该类别将选出一名获奖者,受邀参加 Vishay 于 2025 年 7 月在考艾岛举办的“总裁俱乐部 31”活动(具体日期将于 2025 年 7 月公布)。

精选产品

碳化硅(SiC)二极管

2.SlimSMA(DO-221AC) 29505

 

・设计保障最小爬电距离 3.2 mm
・可在宽温区间实现超高速硬开关

 

VS-3C01EJ12-M3/H

VS-4C01EJ12-M3/H - 即将推出

碳化硅(SiC)二极管

comingsoon-2

・几乎无反向恢复拖尾电流,开关损耗极低
・适配宽温环境下超高速硬开关应用

 

VS-4C30CP12L-M3

VS-4C30EP12L-M3

VS-4C30ET12S2L-M3

VS-4C40EP12L-M3

VS-4C51CP12L-M3

DC-Link 薄膜电容 MKP1848E / T

3.DC Link Capacitor 34983

 ・最高工作温度:MKP1848E可达 125℃,MKP1848T可达135℃
・封装功率密度高
・具有较高的纹波电流承受能力
・高湿度环境下稳定性优异  

 

MKP1848E

MKP1848T - 即将推出

低压 MOSFET

4-5.PPAK SO-8S 34941

・第五代功率 MOSFET(TrenchFET® Gen V)
・RDS x Qg FOM 达业界先进水平
・符合 IPC-9701 规范标准,提升热循环可靠性
・6 mm × 5 mm 占位面积,兼容 PowerPAK® SO-8 封装
・同时提供 PowerPAK® SO-8S(QFN 6x5)版本
・RthJC 低至 0.3 ℃/W,兼具充足且稳定的安全工作区(SOA)性能

80 V-SIRS5800DP (1.8 mΩ)

80 V-SIR580DP (2.7 mΩ)

正温度系数热敏电阻

6.PTCEL67 35098

能量吸收上限最高可达 340 J (PTCEL 67)

 

PTCEL 17

PTCEL 67

MaxSiC® 750 V / 1200 V 第三代沟槽型碳化硅 MOSFET

comingsoon-2

 

 ・第三代沟槽技术可降低导通电阻、减少开关损耗,实现高效率与高功率密度
・具备业界领先的全温域导通电阻特性

 

PowerPAK® 15x21LR(QDPAK)

PowerPAK® 15x10LR (TOLT)

产品

电阻器
整流器
电容器

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